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元器件采购网 > N-268页 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式NSBC143EDXV6T1

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NSBC143EDXV6T1

SOT-563,SOT-666 ON Semiconductor 168 电话:0755-83217923
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NSBC143EDXV6T1参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
说明:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
包装数量:4000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

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